تاثیر ضخامت و آلایش- f در بهینه سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک رسانای شفاف fto(sno2:f)
Authors
abstract
در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لایه) و نسبت آلایش f ، توسط دستگاه چهار میله ای مورد بررسی قرار گرفت. بهترین لایه شفاف رسانا از نظر ضخامت که دارای بالاترین ضریب عبور و کمترین مقاومت سطحی است برای اثر ضخامت، نمونه با ضخامت لایه 830 nm با مقاومت ویژه. cm ω 0.26×10 -3 و ضریب عبور اپتیکی 60 % در محدوده طیف مرئی و از نظر الایش f ، نمونه با آلایش 1.2 hf با مقاومت ویژه 1.19×10-3 (ω. cm) و عبور %86 بدست آمد. هدف ما از این پژوهش رسیدن به یک حالت بهینه و بر حسب شرایط آزمایشگاهی خود، از رسانندگی و عبور اپتیکی بالا که نتایج بدست آمده در مقایسه با نتایج دیگران قابل توجه می باشد.
similar resources
تاثیر ضخامت و آلایش- F در بهینهسازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایههای نازک رسانای شفاف FTO(SnO2:F)
در این پژوهش لایههای نازک رسانا و شفاف FTO را به روش اسپری بر روی زیرلایههای شیشه لایه نشانی کردهایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایهها) و نسبت آلایش F را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایهها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر SEM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیفسنج Optics Ocean و مقاومت سطحی لایهها بر حسب حجم محلول (ضخامت ل...
full textتاثیر آلایش fe و co بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک zno
لایههای نازکzn0.97tm0.03o (tm = co, fe) روی زیر لایههای شیشهای با روش سل-ژل رشد داده شدند و اثرات جاینشانی فلزات واسطه بر روی خواص ساختاری و اپتیکی لایههای zno مورد بررسی قرار گرفت. طیفهای حاصل از پراش پرتو x از نمونهها نشان داد که تمام لایهها دارای ساختار ورتسایت میباشند. طیف تراگسیل نوری در بازه طول موجی 200-800 نانو متر برای نمونهها ثبت گردید و با استفاده از آن گاف نواری لایهها مح...
full textبهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی
Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...
full textتأثیر غلظت و ضخامت آلاینده آلومینیوم بر خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک دی اکسید قلع آلاییده با آلومینیوم
در این کار تجربی لایههای نازک دیاکسید قلع آلاییده با آلومینیوم با ترکیبهای مختلفی از 5 تا 10 درصد جرمی آلومینیوم و 95 تا 90 درصد جرمی دیاکسید قلع بوسیله تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایههای شیشهای نهشته شدند. سپس تاثیر غلظت آلاینده آلومینیوم و ضخامت بر خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری این لایهها بررسی شد. خواص این لایههای نازک بوسیله پراش پرتو X، اسپکتروفوتومتر UV- VIS...
full textبررسی خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3
در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
مجله فیزیک کاربردیPublisher: دانشگاه الزهرا
ISSN 2345-4911
volume 4
issue 2 2015
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023